固態(tài)硬盤的讀寫掉電測試一般都是在同一溫度（低溫或者高溫）下進(jìn)行的，主要檢測產(chǎn)品貯存和使用的適用性。NVMe固態(tài)硬盤內(nèi)部擔(dān)任儲存數(shù)據(jù)的重要組件是NAND閃存，影響NAND閃存的數(shù)據(jù)保存，除了擦寫次數(shù)，工作溫度也可以直接對固態(tài)硬盤的速度和數(shù)據(jù)保存造成影響。下面，我們來了解一下固態(tài)硬盤的高低溫擦寫試驗。

固態(tài)硬盤的高低溫擦寫試驗：

試驗設(shè)備：環(huán)儀儀器 SSD高低溫交變試驗機(jī)

試驗樣品：固態(tài)硬盤

運行環(huán)境：Linux系統(tǒng)。Linux系統(tǒng)工具需要配置安裝，如mke2fs、fdisk、mount、SMART(Self Monitoring Analysis and Reporting Technology)等。

試驗過程：

步驟1、通過硬盤檢測工具SMART(Self Monitoring Analysis and Reporting Technology)進(jìn)行檢測，測試結(jié)果顯示通過，則說明固態(tài)硬盤健康狀態(tài)良好，如果顯示不良，則表示固態(tài)硬盤出現(xiàn)異常狀況。

步驟2、在高溫的溫度范圍為35~125℃下，往被測NVMe固態(tài)硬盤中寫入預(yù)設(shè)數(shù)據(jù)；

步驟3、在通電的狀態(tài)下靜置一段時間；

步驟4、靜置后進(jìn)行掉電測試；

步驟5、檢查被測NVMe固態(tài)硬盤的健康狀態(tài)是否良好，如果良好，則執(zhí)行步驟6，否則結(jié)束測試；

步驟6、在-40~0℃下，對被測NVMe固態(tài)硬盤執(zhí)行讀取比對操作；讀取比對操作包括：首先順序讀出已寫入的數(shù)據(jù)，并與預(yù)設(shè)數(shù)據(jù)進(jìn)行比較；然后隨機(jī)選擇一個預(yù)設(shè)數(shù)據(jù)的隨機(jī)地址并在此地址讀數(shù)據(jù)塊，再到已寫入的數(shù)據(jù)中找到其所在的位置，進(jìn)行讀比對。

步驟7、在通電的狀態(tài)下靜置一段時間；

步驟8、檢查被測NVMe固態(tài)硬盤的健康狀態(tài)是否良好，如果良好，則執(zhí)行步驟9，否則結(jié)束測試；

步驟9、生產(chǎn)測試結(jié)果，完成測試。

通過以上高低溫擦寫測試，一方面是模擬客戶在極端環(huán)境下，來檢測產(chǎn)品的穩(wěn)定性和數(shù)據(jù)安全性能；另一方面能夠為產(chǎn)品迅速找出極限點，并從所提供的詳細(xì)測試報告中改善產(chǎn)品弱點。

入有SSD固態(tài)硬盤的試驗疑問，可以咨詢環(huán)儀儀器相關(guān)技術(shù)人員。