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隨著電子產(chǎn)品的廣泛應用，尤其是在移動通信、計算機、智能家居等領域，閃存芯片（如NAND Flash）在數(shù)據(jù)存儲中的重要性日益增加。為了確保這些閃存芯片在極端環(huán)境條件下的可靠性，必須對其進行高低溫沖擊試驗，這就需要用到Flash/eMMC存儲熱沖擊試驗機。下面，我們來了解一下Flash/eMMC存儲熱沖擊試驗機的相關技術要求。
設備名稱：環(huán)儀儀器 Flash/eMMC存儲熱沖擊試驗機
箱體結構：
試驗箱的箱體采用耐高溫、耐低溫材料制造，具有良好的隔熱性能。箱體的一側設置有門體，方便樣品的放入和取出。
內(nèi)部結構：
1.試驗箱內(nèi)部設置有滑動板，滑動板的滑動方向與箱體內(nèi)的加熱裝置和制冷裝置的放置方向平行。
2.通過滑動板的移動，能夠改變加熱裝置和制冷裝置與箱體內(nèi)部的連通狀態(tài)，從而實現(xiàn)溫度的快速轉(zhuǎn)換，模擬芯片在高溫和低溫環(huán)境中的使用情況。
3.加熱裝置和制冷裝置分別位于箱體的兩側，并與滑動板滑動機構相連接?；瑒影蹇稍趦蓚戎g進行快速滑動，直接隔斷加熱裝置與制冷裝置的接觸，控制內(nèi)部溫度。
溫度沖擊測試過程：
1.在測試開始時，用戶將待測的閃存芯片放置在置物板的嵌槽內(nèi)，確保芯片穩(wěn)定。
2.通過滑動機構的驅(qū)動，滑動板開始在加熱室和制冷室之間滑動，控制溫度的逐步變化?；瑒影宓淖兓沟眉訜嵫b置和制冷裝置與箱體內(nèi)部分隔，迅速改變箱體內(nèi)的環(huán)境溫度。
3.加熱裝置和制冷裝置的溫度變化，經(jīng)過滑動板的調(diào)節(jié)，實現(xiàn)高溫和低溫環(huán)境的迅速切換，模擬芯片在極端溫度變化下的實際工作狀態(tài)。
如需了解Flash/eMMC存儲熱沖擊試驗機的選型方法，可以咨詢環(huán)儀儀器相關技術人員。
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