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為了研究FLASH芯片的壞區(qū)增長與擦寫次數(shù)為怎樣的關系，目前尚未有實際實物參照數(shù)據(jù)。下面使用Flash器件高低溫擦寫性能試驗箱，通過FLASH芯片壽命試驗，在地面模擬FLASH芯片在空間連續(xù)加電并多次擦除、寫和讀操作，設計了以下試驗方法。
Flash芯片高低溫壽命試驗設計：
試驗設備：環(huán)儀儀器 Flash器件高低溫擦寫性能試驗箱
配套工具：試驗板1套，可承受工作環(huán)境溫度為-10℃～+70℃、穩(wěn)壓電源1套、測試計算機1臺、測試電纜一套
試驗過程：
串口1實時顯示操作次數(shù)，每次操作時的壞區(qū)總數(shù)，串口2實時顯示擦除和編程超時或反饋出錯的區(qū)塊號，串口3用于下傳所有的壞區(qū)表、接收指令恢復某一壞區(qū)等需要交互的操作。壽命試驗過程中每隔一定的動作次數(shù)后，需進行手動測試，通過串口遙測記錄芯片在不同操作模式下的工作電流、壞區(qū)表、擦除反饋錯誤、擦除超時壞區(qū)、編程反饋錯誤、編程超時壞區(qū)以及誤碼率，并進行統(tǒng)計，最后繪成曲線。測試臺需斷電保持芯片擦寫的次數(shù)，并在串口遙測中顯示。
試驗過程必須包含F(xiàn)LASH芯片的擦除和寫操作，考核芯片長時間的加電工作后性能是否下降（監(jiān)視不同模式下的電流是否增加、擦除時間是否會超時和編程時間是否延長），壞區(qū)是否增加。
試驗結果：
FLASH芯片壽命試驗總擦除次數(shù)為100000次，試驗開展共409天，試驗結束后總壞塊數(shù)為36個，并未增加。根據(jù)資料，10萬次擦除壽命末期單片的某一層壞區(qū)累計不到容量的2%，試驗采用的芯片總共4096塊，36個壞塊的比率為0.88%，不超過廠家指標值。
以上就是Flash器件高低溫擦寫性能試驗箱相關測試過程，如有試驗疑問，可以咨詢環(huán)儀儀器相關技術人員。
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