為了研究Flash存儲(chǔ)器在不同溫度下的性能變化的機(jī)理和溫變規(guī)律，評(píng)估其空間應(yīng)用的可行性，為Flash器件在空間型號(hào)任務(wù)的應(yīng)用提供試驗(yàn)依據(jù)和改進(jìn)建議。在溫變規(guī)律研究中，一般會(huì)用到NAND Flash高低溫篩選試驗(yàn)機(jī)，下面，我們來(lái)了解一下Flash存儲(chǔ)的高低溫性能擦寫試驗(yàn)研究。

試驗(yàn)設(shè)備：環(huán)儀儀器 NAND Flash高低溫篩選試驗(yàn)機(jī)

試驗(yàn)樣品：某品牌Flash存儲(chǔ)器件 30個(gè)

試驗(yàn)原理：溫度循環(huán)試驗(yàn)是采用 GJB548 標(biāo)準(zhǔn)，1010B 條件循環(huán) 20 次，溫循后在常溫下測(cè)試器件電參數(shù)，從而判斷溫循前后器件電參數(shù)是否發(fā)生了變化。

試驗(yàn)過(guò)程：

1.先在-35~85 ℃的環(huán)境下進(jìn)行了3個(gè)循環(huán)的高低溫循環(huán)試驗(yàn)，每個(gè)高溫和低溫環(huán)境下各穩(wěn)定2h;

2.然后從-35℃的低溫升到95℃在 95 ℃下工作 2h;

3.接下來(lái)升溫到105 ℃，并在 105 ℃的溫度下連續(xù)工作 240 h。

試驗(yàn)過(guò)程中 FASH 不停地進(jìn)行擦、編程、讀，編程操作選用 0x55 和 0xAA 交替數(shù)據(jù)源。試驗(yàn)期間，記錄下不同溫度下每個(gè)芯片的壞塊數(shù)、所有塊中的最小塊擦除時(shí)間(EraseMin)、所有塊中的最大塊擦除時(shí)間(EraseMax)、所有頁(yè)中最小頁(yè)編程時(shí)間(ProgramMin)、所有頁(yè)中最大頁(yè)編程時(shí)間(ProgramMax)。

試驗(yàn)結(jié)果：

1.30 個(gè)芯片的 EraseMin 在不同溫度下的變化情況，個(gè)別芯片(2、16、18)在-35℃低溫條件下擦除時(shí)間比常溫時(shí)增加 72%。如下圖所示。

2.芯片的 EraseMax 在不同溫度下的變化情況，大部分芯片在-35 ℃低溫條件下擦除時(shí)間都發(fā)生了明顯增加，比常溫時(shí)增加 72%。由此可得，在-35 ℃的低溫情況下，塊擦除時(shí)間明顯增大，從常溫到 105 ℃的變化過(guò)程中,擦?xí)r間也逐漸增大，但是變化量較小，約10%。如下圖所示。

3.芯片的ProgramMin和 ProgramMax 在不同溫度下的變化情況。隨著溫度的增加，芯片的頁(yè)編程時(shí)間逐漸增大，基本與溫度成線性關(guān)系。從-35~105℃，頁(yè)編程時(shí)間增加了 15%。如下圖所示。

以上就是使用NAND Flash高低溫篩選試驗(yàn)機(jī)對(duì)Flash存儲(chǔ)器件的試驗(yàn)研究，如有疑問(wèn)，可以咨詢環(huán)儀儀器相關(guān)技術(shù)人員。