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EMMC高低溫循環(huán)試驗箱的技術(shù)方案

文章出處 : 技術(shù)知識 文章編輯 : 環(huán)儀儀器 閱讀量 : 發(fā)表時間 : 2024-11-01

EMMC高低溫循環(huán)試驗箱可針對NAND Flash、UFS芯片進行高速、高低溫度范圍的全功能動態(tài)老化測試。針對集成NAND和Controller的模組芯片(例如UFS和eMMC),還可進行接口協(xié)議和性能測試。存儲器高速老化測試系統(tǒng)可實現(xiàn)早期失效篩選、故障定位、量產(chǎn)老化等測試需求。下面,我們來看看EMMC高低溫循環(huán)試驗箱的技術(shù)要求。

產(chǎn)品名稱:環(huán)儀儀器 EMMC高低溫循環(huán)試驗箱

EMMC高低溫循環(huán)試驗箱的技術(shù)方案(圖1)

系統(tǒng)結(jié)構(gòu)設(shè)計:

1.測試區(qū):支持高低溫測試,溫度范圍可設(shè)定在-50℃~+150℃。

2.溫區(qū)隔離設(shè)計:隔離區(qū)通過調(diào)節(jié)尺寸以適應(yīng)不同溫區(qū)需求,最小尺寸可與第一溫度區(qū)合并。隔離區(qū)的直通板采用印刷電路板代替?zhèn)鹘y(tǒng)線纜,實現(xiàn)信號和電源在溫區(qū)之間的穩(wěn)定傳輸,同時增強隔熱性能。

3.散熱管理:在隔離區(qū)側(cè)面安裝散熱裝置(如風扇),帶走直通板的熱量,防止熱量傳導(dǎo)至其他區(qū)域。采用側(cè)面出風設(shè)計,確保溫度均勻,控制誤差在±5℃以內(nèi),實現(xiàn)精準的溫度控制。

4.模塊化設(shè)計:通過配置不同的測試板,支持多種存儲器(如Nand Flash、Nor Flash、DDR2/DDR3/DDR4、eMMC、SSD)的老化測試,實現(xiàn)靈活的測試需求。

技術(shù)參數(shù):

EMMC高低溫循環(huán)試驗箱的技術(shù)方案(圖2)

設(shè)計性能:

1.高速高性能的NAND BIB設(shè)計

支持8個Burn-in Board并行測試,單個Burn-in Board支持96個DUT。

系統(tǒng)最大支持768個DUT。

支持ONFI4.0規(guī)范,測試速率高達800Mbps。

支持BBM、CFM、FBC功能,并支持數(shù)據(jù)分析專用工具。

支持DUT的供電電壓拉偏測試。

EMMC高低溫循環(huán)試驗箱的技術(shù)方案(圖3)

2.高速高性能的UFS BIB設(shè)計

支持8個Burn-in Board并行測試,單個Burn-in Board支持80個DUT。

系統(tǒng)最大支持640個DUT。

支持UFS2.2/3.1協(xié)議規(guī)范,測試速率最高支持11.6Gbps(HS-G4B)。

支持UFS協(xié)議的標準SCSI命令和workload壓力測試。

支持UFS的測試性能數(shù)據(jù)分析。(IOPS、讀寫帶寬等)


如有EMMC高低溫循環(huán)試驗箱的選型疑問,可以咨詢環(huán)儀儀器相關(guān)技術(shù)人員。

文章標簽 : 高低溫試驗箱

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