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JESD22-A103高溫儲存試驗(yàn)箱是半導(dǎo)體、光電、LED等領(lǐng)域必備的測試設(shè)備，用于測試和確定產(chǎn)品在高溫加速老化試驗(yàn)過程仲產(chǎn)品的特性，高溫儲存試驗(yàn)箱屬模擬氣候環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備之一，高溫儲存試驗(yàn)就是通過讓產(chǎn)品進(jìn)行高溫的工作，來評價產(chǎn)品的老化性能以及使用壽命。
適用標(biāo)準(zhǔn)：JESD22-A103-E 高溫貯存壽命
技術(shù)參數(shù)：
高溫存儲試驗(yàn)條件：
失效標(biāo)準(zhǔn)：
如果超出參數(shù)限制，或在采購文件中規(guī)定的額定和壞情況下無法實(shí)現(xiàn)功能，則設(shè)備將被視為高溫貯儲故障。對于非易失性存儲器，應(yīng)在存儲前后驗(yàn)證規(guī)定的數(shù)據(jù)保留模式。裕度測試可用于檢測數(shù)據(jù)保留退化。
機(jī)械損傷，如塑封破裂、碎裂或破裂（如JESD22-B101中所定義）將被視為故障，前提是此類損傷不是由固定裝置或搬運(yùn)引起的，并且對特定應(yīng)用中的塑封性能至關(guān)重要。
外觀包裝缺陷、鉛表面處理退化或可焊性不被視為該應(yīng)力的有效失效標(biāo)準(zhǔn)。
測試原理：
高溫存儲測試的原理是模擬芯片在長時間存儲期間可能面臨的高溫環(huán)境，以評估芯片在這種條件下的性能和可靠性。這種測試有助于發(fā)現(xiàn)潛在的可靠性問題，預(yù)測芯片在實(shí)際使用中可能遇到的問題，并采取必要的措施來改善芯片設(shè)計、材料選擇或封裝技術(shù)。
如有JESD22-A103高溫儲存試驗(yàn)箱的選型疑問，可以咨詢環(huán)儀儀器相關(guān)技術(shù)人員。
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