JESD22偏壓雙85濕熱試驗(yàn)機(jī)適用于半導(dǎo)體、芯片、光電產(chǎn)品的高溫高濕試驗(yàn)，在半導(dǎo)體行業(yè)則需要做偏壓濕熱試驗(yàn)，偏壓濕熱試驗(yàn)屬于老化試驗(yàn)的一種，老化測(cè)試（Burn-in）：是指對(duì)產(chǎn)品施加電壓和溫度應(yīng)力，以便在早期階段消除產(chǎn)品潛在缺陷的測(cè)試。封裝后執(zhí)行的老化測(cè)試被稱為“老化中測(cè)試（TBDI）”。

偏壓試驗(yàn)的5個(gè)試驗(yàn)要點(diǎn)：

試驗(yàn)設(shè)備：環(huán)儀儀器 JESD22偏壓雙85濕熱試驗(yàn)機(jī)

試驗(yàn)要點(diǎn)：

1.試驗(yàn)背景

AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)：HTRB試驗(yàn)是AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)中的Group B加速壽命模擬試驗(yàn)的一部分，該標(biāo)準(zhǔn)廣泛用于汽車級(jí)、工業(yè)級(jí)和軍用級(jí)半導(dǎo)體器件的測(cè)試。

軍用級(jí)參考：HTRB試驗(yàn)方法參考了MIL-STD-750方法1038條件A（適用于二極管、整流器和齊納管）和M1039條件A（適用于晶體管）。

2.試驗(yàn)?zāi)康?/strong>

缺陷識(shí)別：HTRB旨在識(shí)別制造過程中產(chǎn)生的潛在缺陷，這些缺陷在未進(jìn)行老化處理的情況下可能導(dǎo)致器件過早失效。

故障模式揭示：通過在特定條件下運(yùn)行半導(dǎo)體器件，HTRB試驗(yàn)揭示了由時(shí)間和應(yīng)力引起的電氣故障模式。

3.試驗(yàn)條件

電壓與溫度：根據(jù)AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，測(cè)試在最大直流反向電壓下進(jìn)行1000小時(shí)，同時(shí)控制結(jié)溫以防止熱失控，環(huán)境溫度TA可以根據(jù)需要從Ta(MAX)向下調(diào)整。

批量測(cè)試：標(biāo)準(zhǔn)要求對(duì)3批*77顆器件進(jìn)行同時(shí)測(cè)試，以確保數(shù)據(jù)的代表性和統(tǒng)計(jì)意義。

實(shí)時(shí)監(jiān)控：測(cè)試過程中需實(shí)時(shí)監(jiān)控漏電流，并在老化前后測(cè)量器件的靜態(tài)參數(shù)。

4.試驗(yàn)前的電性能參數(shù)

參數(shù)測(cè)量：試驗(yàn)前后需對(duì)器件進(jìn)行基本的靜態(tài)參數(shù)測(cè)量，確保所有性能參數(shù)符合用戶零件規(guī)范的要求。

5.失效判定標(biāo)準(zhǔn)

性能參數(shù)：器件在試驗(yàn)后應(yīng)繼續(xù)符合用戶零件規(guī)范中定義的性能參數(shù)要求。

參數(shù)變化：試驗(yàn)后的電性能參數(shù)變化應(yīng)保持在初始值的±20%以內(nèi)。

泄漏電流：允許的泄漏電流不超過試驗(yàn)前初始值的5倍。

物理?yè)p壞：器件外觀不得出現(xiàn)任何由試驗(yàn)引起的物理?yè)p壞。

如對(duì)以上試驗(yàn)有任何疑問，可以咨詢環(huán)儀儀器相關(guān)技術(shù)人員。