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光電器件高加速濕熱試驗(yàn)箱的試驗(yàn)技術(shù)因素

文章出處 : 技術(shù)知識(shí) 文章編輯 : 環(huán)儀儀器 閱讀量 : 發(fā)表時(shí)間 : 2024-10-22

光電器件在使用光電器件高加速濕熱試驗(yàn)箱做測(cè)試過程中,由于高溫高濕的原因,會(huì)受到不同的失效情況,為了加速光電器件的吸濕速率以及縮短試驗(yàn)時(shí)間,可使用加速試驗(yàn)設(shè)備(光電器件高加速濕熱試驗(yàn)箱)來進(jìn)行相關(guān)試驗(yàn),也就所謂的(退化失效期、損耗期)試驗(yàn)。下面,我們來了解一下試驗(yàn)過程中的一些技術(shù)因素。

高加速濕熱試驗(yàn)技術(shù)因素:

試驗(yàn)設(shè)備:環(huán)儀儀器 光電器件高加速濕熱試驗(yàn)箱

光電器件高加速濕熱試驗(yàn)箱的試驗(yàn)技術(shù)因素(圖1)

影響因素:

1.濕氣所引起的故障原因:水汽滲入、聚合物材料解聚、聚合物結(jié)合能力下降、腐蝕、空洞、線焊點(diǎn)脫開、引線間漏電、芯片與芯片粘片層脫開、焊盤腐蝕、金屬化或引線間短路。

2.水汽對(duì)電子封裝可靠性的影響:腐蝕失效、分層和開裂、改變塑封材料的性質(zhì)。

3.故障模式:起泡(Blister)、斷裂(Crack)、止焊漆剝離(SR de-lamination)。

光電器件高加速濕熱試驗(yàn)箱的試驗(yàn)技術(shù)因素(圖2)

4.腐蝕失效與IC:腐蝕失效(水汽、偏壓、雜質(zhì)離子)會(huì)造成IC的鋁線發(fā)生電化學(xué)腐蝕,而導(dǎo)致鋁線開路以及遷移生長(zhǎng)。

5.加速鋁腐蝕的因素:

①樹脂材料與芯片框架接口之間連接不夠好(由于各種材料之間存在膨脹率的差異)

②封裝時(shí),封裝材料摻有雜質(zhì)或者雜質(zhì)離子的污染(由于雜質(zhì)離子的出現(xiàn))

③非活性塑封膜中所使用的高濃度磷

④非活性塑封膜中存在的缺陷

光電器件高加速濕熱試驗(yàn)箱的試驗(yàn)技術(shù)因素(圖3)

討論產(chǎn)品壽命時(shí),一般采用[θ10℃法則]的表達(dá)方式,簡(jiǎn)單的說明可以表達(dá)為[10℃規(guī)則],當(dāng)周圍環(huán)境溫度上升10℃時(shí),產(chǎn)品壽命就會(huì)減少一半;當(dāng)周圍環(huán)境溫度上升20℃時(shí),產(chǎn)品壽命就會(huì)減少到四分之一。這種規(guī)則可以說明溫度是如何影響產(chǎn)品壽命(失效)的,相反的產(chǎn)品的可靠度試驗(yàn)時(shí),也可以利用升高環(huán)境溫度來加速失效現(xiàn)象發(fā)生,進(jìn)行各種加速壽命老化試驗(yàn)。


以上就是光電器件高加速濕熱試驗(yàn)箱的試驗(yàn)技術(shù)影響,如有疑問,可以咨詢環(huán)儀儀器相關(guān)技術(shù)人員。

文章標(biāo)簽 : 高加速溫濕度試驗(yàn)箱

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