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《地面用晶體硅光伏組件環(huán)境適應性測試要求第2部分：干熱氣候條件》是《地面用晶體硅光伏組件環(huán)境適應性測試要求》的第二部分，該標準由國家能源局發(fā)布，編號為NB/T 42104.2-2016。
此標準規(guī)定了干熱氣候條件下地面用晶體硅光伏組件的環(huán)境適應性測試要求，包括測試條件、測試項目和測試方法等。
一、范圍：
本部分規(guī)定了在干熱氣候條件下安裝、使用的光伏組件的測試要求。
本部分適用于安裝和使用在干熱氣候條件下的地面用晶體硅光伏組件。
二、試驗項目：
紫外線預處理試驗、熱循環(huán)試驗、濕凍試驗、鹽霧試驗、砂塵試驗等。
三、試驗設備：
紫外老化試驗箱、恒溫恒濕試驗箱、鹽霧試驗箱、砂塵試驗箱等。
四、文檔獲?。?br/>添加微信：15322932685 獲取
.jpg "《NB/T 42104.2-2016 地面用晶體硅光伏組件環(huán)境適應性測試要求 第2部分：干熱氣候條件》標準(圖1)")
五、試驗程序（部分）：
熱循環(huán)試驗：
a)在室溫下將組件裝入氣候室。如組件的邊框?qū)щ姴缓?，則將其安裝在一金屬框架上來模擬敞開式支承架。
b)將溫度傳感器接到溫度監(jiān)測儀上，將組件的正極引出端接到提供電流的儀器的正極，負極連接到其負極。在400次熱循環(huán)試驗中，在組件溫度超過25℃時，保持對組件施加等于STC最大功率點電流±2%大小的電流，其他時候電流應降至不超過1%?Imp。對于100 次的熱循環(huán)試驗，僅施加電流不超過1%?lmp。
c)關閉氣候室，一般氣候條件下的熱循環(huán)試驗按圖9的輪廓，使組件的溫度為-40℃±2℃和+90℃±2℃之間循環(huán)。最高和最低溫度之間溫度變化的速率不超過100℃/h，并且組件溫度在每個極端溫度下應保持穩(wěn)定至少 30min。除非組件的熱容量很大需要更長的循環(huán)時間外，一次循環(huán)時間不超過6h，循環(huán)的次數(shù)見圖1相應的方框。
d）在整個試驗過程中，記錄組件的溫度，并監(jiān)測通過組件的電流。
注:有并聯(lián)電路的組件，如果其中一路斷開，會引起電壓或電流的不連續(xù)，但不會導致其為零。
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